根据韩媒报道，有消息人士透露，三星内部认为目前NAND Flash供应价格过低，计划从今年四季度开始，调涨NAND Flash产品的合约价格，涨幅超过10%。预计本月新合约将采用新价格。

今年以来，三星一直实施减产战略，先后在1月和4月宣布减少晶圆投入。最初的减产主要集中在DRAM领域，下半年开始大幅削减NAND Flash业务产量，目前正努力推动NAND价格恢复正常。

目前DRAM价格已有所反弹，但NAND产品仍有突破空间。三星的目标是扩大减产规模，降低供应量，通过提高产品价格来实现盈亏平衡，预计明年第二季度实现。

SK证券研究员韩东喜认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望推动存储芯片价格反弹。

值得一提的是，三星在9月份已与客户（包括小米、OPPO和谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片的价格较之前的合同价格上涨了10%至20%。

三星电子预计，从第四季度开始存储芯片市场可能供不应求。此外，原厂近期已通知下游厂商，第四季度将调涨合约价。不同产品的涨幅有所不同，但几乎都在双位数水平，其中NAND Flash预计涨幅可能达到一成至两成，DRAM涨幅约为一成。

在10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业经历了两年的苦难，黑暗即将过去，预计2024年下半年可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND和DRAM的现货价近期都出现了双位数反弹。

目前，行业内的买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM和NAND Flash的第四季度合约价将上涨10%至15%，三星甚至计划调涨20%，具体成交价还有待观察。

从供给端来看，中信证券预计，2023年行业的供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，这将有助于库存修复，对存储板块的周期性复苏感到乐观，预计2023年下半年将见底。

对于需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高的趋势，预计2023年下半年至2024年下游需求将回暖。

总体上，分析师预计下半年随着库存去化和需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会。看好国内存储产业链周期复苏和本土化趋势下的投资机遇，建议关注存储模组、存储芯片设计和存储配套芯片。