摩根士丹利最新报告指出，随着NAND价格触底，闪存厂商群联已经看到来自中国大陆的模块和智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。

此外，知名分析师郭明锜最近发文称，紧随三星涨价步伐，美光在9月已开始调涨NAND Flash晶圆合约价，涨幅约为10%。

他认为，这将有助于改善美光下半年的利润。

郭明锜补充说，就DRAM而言，美光最早从2023年第四季度至2024年第一季度将从以下三个趋势中获益：英特尔新平台Meteor Lake推动DDR5渗透率加速增长，AI服务器强劲需求推动HBM出货，品牌与处理器厂商在设备上推广大模型，有利于DDR/LPDDR规格升级。

在此之前，三星已下令停止报价低于1.6美元的第六代V-NAND成熟型制程产品的出货。

已有两家厂商私下证实，并表示“先前该产品1.45-1.48美元的低价不会再出现”。

市场研究机构TrendForce最近的报告也指出，最近NAND Flash现货市场颗粒报价的积极拉涨消息带动了部分品项的询价需求。

八月下旬，NAND Flash原厂进一步与中国部分模块厂商达成新一批晶圆订单，并成功拉涨512Gb晶圆合约价，涨幅约为10%。其他原厂也跟进将同级产品价格上调，显示原厂不愿意以低价成交，从而带动了晶圆现货市场近期出现了短期涨势。

由于NAND Flash晶圆涨价导致成本上升的压力，模块厂近期也纷纷表示有意调涨终端产品的价格，主要体现在SSD产品方面，金士顿、飞信等模块厂商最近也回归官方价格进行交易，不再接受客户的低价成交。

金士顿还表示，由于产品价格过低，从八月开始拒绝客户的降价要求，并准备重建部分NAND库存。

三星、SK海力士、美光等一线存储厂商相继减产NAND Flash，标志着调整周期接近尾声。控制供应商对产能的控制是推动库存去化和供需平衡的关键。

其中，三星已制定了生产计划，目标是在年底将NAND库存正常化（6-8周水平）。

今年年初，三星的NAND库存水平超过了20周，最高一度飙升至28周，但最近已降至18周。

据悉，三星下半年的晶圆投入量将减少10%，目前公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND（V6），因为该产品库存较多。

TrendForce的数据显示，三星最初的减产幅度为25%，第四季度可能扩大到35%，这表明目前市况仍然面临供过于求的压力。

如果原厂不积极应对，即使下半年需求有所恢复，NAND Flash相关产品的价格也难以触底反弹。

因此，目前一线NAND Flash原厂都在积极减产控制供应，力求止跌，避免价格持续下跌。

展望2024年，TrendForce预测存储器原厂在DRAM和NAND Flash方面的减产策略将继续，尤其是针对亏损严重的NAND Flash。

据预测，2024年上半年，消费电子市场的需求情况仍不明朗，通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器的排挤，需求相对疲弱。鉴于2023年基期较低，再加上部分存储器产品的价格已达到相对低点，预计DRAM和NAND Flash的需求增幅分别为13.0%和16.0%。

方正证券指出，供给端加速收缩、限制低价供应，进一步巩固了NAND Flash晶圆价格上涨的趋势。

分析师预计，随着2023年下半年国内手机品牌陆续推出新品、个人电脑需求复苏以及iPhone 15的发布，原厂的出货压力将逐步缓解，NAND Flash的调整周期即将结束。