摩根士丹利最新报告指出，由于NAND价格已触底，群联等闪存厂商目前已经看到来自中国大陆的模组和智能手机客户需求增加。一些客户甚至已经接受了价格上涨30%至35%的情况。

此外，知名分析师郭明錤最近在一篇文章中表示，跟随三星在8月份的涨价步伐，美光从9月份开始调涨NAND Flash晶圆合约价，涨幅约为10%。

他认为，这将有助于改善美光在下半年的盈利状况。

郭明錤补充道，就DRAM而言，美光有望在2023年第四季度至2024年第一季度最早从以下三个趋势中受益：英特尔新平台Meteor Lake推动DDR5渗透率加速增长，AI服务器需求增强推动HBM出货，品牌和处理器制造商在设备上推广大模型，有利于DDR/LPDDR规格升级。

在此之前，三星已下令停止向市场提供低于1.6美元的第六代V-NAND成熟型制程产品。

两家厂商已经私下确认并表示，过去的1.45-1.48美元的低价产品将不再出现。

市场研究机构TrendForce最近的报告也指出，近期NAND Flash现货市场颗粒报价受到晶圆合约价上涨的消息带动，部分品项出现了积极的询价需求。

在8月下旬，NAND Flash原厂与中国的部分模组厂商达成了新的晶圆订单，并成功拉升了512Gb晶圆合约价，涨幅约为10%。其他原厂也跟进，提高了同级产品的价格。原厂显现出不再愿意以低价成交的态度，从而推动了晶圆现货市场近期的短期涨势。

由于NAND Flash晶圆的涨价，增加了成本压力，模组厂近期纷纷表达了调涨终端产品的意向，主要体现在SSD产品上。金士顿、Phison等模组厂也近期回归官方价格进行交易，不再接受客户以低价成交的谈判。

金士顿还表示，由于产品价格过低，从8月份开始拒绝了客户的降价要求，并且会重建部分NAND库存。

三星、SK海力士和美光都计划减产NAND Flash，这是一线存储厂商对库存去化和供需平衡的控制举措。

其中，三星已制定了生产计划，目标是在年底将NAND库存水平恢复到正常水平（6-8周水平）。今年年初，三星的NAND库存水平超过了20周，最高一度飙升到28周，但最近已经降至18周。据了解，三星下半年的晶圆投入量将减少10%，该公司目前的减产主要针对128层第6代V-NAND（V6）产品，该产品的库存较多。

TrendForce的数据显示，三星最初的减产幅度为25%，第四季度可能扩大到35%。这表明目前供过于求的压力仍然很大，如果原厂不采取积极应对的措施，即使下半年需求有所复苏，NAND Flash相关产品的价格也很难触底反弹。

因此，目前一线NAND Flash原厂都在积极减产以控制供应，力求停止价格的持续下跌。

展望2024年，TrendForce预计存储器原厂对DRAM和NAND Flash的减产策略将继续，尤其是对于亏损严重的NAND Flash。预测2024年上半年，消费电子市场的需求前景仍然不明朗，通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器的影响，需求相对疲弱。考虑到2023年的低基期以及部分存储产品价格已经到达相对低点，预计DRAM和NAND Flash的需求同比增幅分别为13.0%和16.0%。

方正证券指出，供应端的收缩和限制低价供应将进一步巩固NAND Flash晶圆价格上涨的趋势。分析师预计，随着2023年下半年国内手机品牌推出新品、PC需求复苏以及iPhone15即将发布，原厂的出货压力将逐步缓解，NAND Flash的调整周期将接近尾声。